沉積物?水界面的溶解氧濃度主要受植物根系泌氧和沉積物自身耗氧等因素的影響．本研究利用微電極技術(shù)，原位測量了根系泌氧的存在。

沉積物?水界面的微觀(guān)剖面利用微電極進(jìn)行測量（圖１）．實(shí)驗用穿刺型氧電極（OX-25 25微米Unisense丹麥）研究沉積物?水界面幾毫米至幾厘米內的變化，具體做法是：

先將微電極連接在主機（Unisense丹麥）上進(jìn)行極化和校正．在穿刺樣品時(shí)將微電極安裝在1個(gè)馬達控制器上，用顯微操縱器控制將電極和電腦相連，通過(guò)調節相應的參數（響應時(shí)間為3S，步距均為500μｍ）來(lái)研究沉積物?水界面剖面微尺度上的變化．實(shí)驗時(shí)在黑藻根系周?chē)睲M以?xún)冗M(jìn)行穿刺（圖１）．

圖2：為了研究種植黑藻后對沉積物?水界面微觀(guān)剖面的影響，利用微電極原位研究溶解氧（DO）濃度垂直剖面的變化，結果顯示，黑藻組水體DO濃度為174μｍｏｌ／L，而對照組僅為137μｍｏｌ／Ｌ（圖２ａ），這說(shuō)明黑藻的^l存在使水體DO濃度增加．當微電極進(jìn)入泥水界面后，DO濃度迅速下降，至界面下3ｍｍ左右處降為O．當微電極繼續向下到７ｍｍ左右，出現１個(gè)明顯的峰值，峰值大小為40μｍｏｌ／Ｌ，峰寬為８ｍｍ，顯著(zhù)大于黑藻根莖（約１ｍｍ），這進(jìn)一步說(shuō)明黑藻根系泌氧的存在．從有氧層厚度來(lái)看，對照組有氧層厚度為5.5ｍｍ左右（圖２ｂ），且隨時(shí)間變化不明顯．種植黑藻后有氧層厚度顯著(zhù)增加（P<0.05），均大于８ｍｍ，且隨培養時(shí)間呈增加的趨勢，說(shuō)明黑藻能使沉積物中DO濃度增加